Αρχική Σελίδα Προϊόντα MOSFET υψηλής δύναμης

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Name: Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
SKU: CS11N40A
Availability: InStock

Όλα τα Προϊόντα

Εναλλακτικός διακόπτης IGBT
(37)

Υψηλής ισχύος IGBT
(38)

MOSFET υψηλής δύναμης
(38)

Υπερσυνδέσμος MOSFET
(48)

MOSFET χαμηλής τάσης
(81)

MOSFET υψηλής τάσης
(54)

Δίοδοι εμποδίων Schottky
(80)

Διόδοι ταχείας ανάκτησης
(49)

Χαμηλός VF Schottky
(65)

Ημιαγωγός υψηλής ισχύος
(28)

MOSFET καρβιδίου πυριτίου
(21)

Καρβίδιο του πυριτίου SBD
(21)

Καλύτερα προϊόντα

Βιομηχανικό MOSFET υψηλής ισχύος

500V Ν κανάλι υψηλής ισχύος MOSFET Πολλαπλής χρήσης ημιαγωγός οξειδίου μετάλλου

Υψηλό ρεύμα 600V ισχύος MOSFET για τα κυκλώματα ελέγχου και γέφυρα

Πιστοποίηση

Κίνα Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Πιστοποιήσεις

Αναθεωρήσεις πελατών

Υπέροχο προϊόν, ακριβώς όπως περιγράφεται, γρήγορη αποστολή και εξαιρετική εξυπηρέτηση.

—— Μίνιφουξ1

πολύ γρήγορη αποστολή, καλά συσκευασμένα και αυτά τα καλώδια είναι σίγουρα υψηλής ποιότητας! δεν αγόρασα πουθενά αλλού και θα συνεχίσω να παίρνω τα καλώδια μου από αυτόν τον πωλητή! AAA+++

—— Μαχτί

Εξαιρετική εξυπηρέτηση, όπως συνήθως.

—— Σοφία.

Είμαι Online Chat Now

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Μεγάλες Εικόνας : Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Κίνα
Μάρκα:	Lingxun
Πιστοποίηση:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Αριθμό μοντέλου:	CS11N40A
Έγγραφο:	About Lingxun(1).pdf

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	Σύμφωνα με την παραγγελία σας.
Τιμή:	According to your order requirement
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Επιβεβαιώστε το πακέτο με βάση τον αριθμό μέρους
Χρόνος παράδοσης:	Σύμφωνα με την παραγγελία σας.
Όροι πληρωμής:	Τ/Τ
Δυνατότητα προσφοράς:	600KK/έτος

Επικοινωνία

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

περιγραφή

Αντίσταση:	Χαμηλή αντίσταση	Περιοχή θερμοκρασίας λειτουργίας:	-55°C σε +150°C
Κατηγορία:	MOSFET	Δύναμη:	Υψηλή δύναμη
Τύπος συσκευασίας:	-220AB	ΜΠΝ:	CS11N40A1
Τύπος Rdson:	0.50Ω	Ταυτότητα:	11A
VDSS:	400V
Επισημαίνω:	Δυναμική λειτουργίας βελτίωσης MOSFET 11A , Δύναμη λειτουργίας ενίσχυσης MOSFET 400V , Διορθωτής N MOSFET καναλιού

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

ΚΥΡΙΤΙΚΑ χαρακτηριστικά

ID:11Α

ΔΕΔΣ: 400V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω

Ειδικά χαρακτηριστικά

Γρήγορη αλλαγή

Χαμηλή αντίσταση ON

Χαμηλή χρέωση πύλης

100% δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας Single Plus

Ειδικά χαρακτηριστικά

• Γρήγορη αλλαγή

• Μικρή αντίσταση

• Χαμηλή χρέωση πύλης

• 100% δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας με ενιαίο παλμό

Εφαρμογές

Πύργο διακόπτη ισχύος του προσαρμογέα και του φορτιστή.

ΕΜΠΙΔΑΜΑ ΤΗΣ ΜΕΧΑΝΙΚΗΣ

• Κουτί: Τυποποιημένο πλαστικό

• Θέση τοποθέτησης: Οποιαδήποτε

• Σχηματισμένο πλαστικό: UL 94V-0

• Χωρίς μόλυβδο σύμφωνα με την οδηγία RoHS της ΕΕ 2011/65/ΕΕ

• Θερμοκρασία μπάνιου συγκόλλησης 275°C μέγιστη, 10s ανά JESD 22-B106

ετικέτα:

Υπερσυνδέσμος MOSFET,

MOSFET καναλιών Ν,

Ωραίο MOS.

Στοιχεία επικοινωνίας

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mrs. Qinqin

Τηλ.:: +8618988720515

Φαξ: 86-189-8872-0515

Άλλα προϊόντα

Λύση διαχείρισης ισχύος MOSFET υψηλής ισχύος τύπου N για βιομηχανικές εφαρμογές

Τύπος συσκευών: MOSFET

Τύπος: N

Τάση πύλη-πηγής (VGS): ±30V

Υλικό: πυριτίου

5A 650V 780mΩ N Super Junction MOSFET TO-252 Επιφανειακά τοποθετημένο

Ταυτότητα: 5Α

VDSS: 650V

Διάταξη RDSON: 780mΩ

Χαρακτηριστικά: Χαμηλή RDS ((ON) & FOM,Εξαιρετικά χαμηλή απώλεια μετάδοσης,Αξιοτελή σταθερότητα και ομοιομορφία

Διαρροή θερμότητας Μεγάλη ισχύς MOSFET Τρανζίστορες ισχύος πυριτίου

Τύπος: N

Χώρα καταγωγής: Κίνα, ολοκαίνουργια, μη χρησιμοποιημένη

Τύπος συσκευών: MOSFET

Αντίσταση: Χαμηλή αντίσταση

7A 650V 525mΩ έως 220F Cool MOS για αδιάλειπτη παροχή ρεύματος

Ταυτότητα: 7Α

VDSS: 650V

Διάταξη RDSON: 520mΩ

Εφαρμογές: Εφοδιασμός ηλεκτρικής ενέργειας (SMPS), ανεπαρκής παροχή ηλεκτρικής ενέργειας (UPS), διόρθωση συντελ

Πολλαπλόχρηστο MOSFET υψηλής ισχύος TO-247 για αδιάλειπτη παροχή ενέργειας

Τύπος συσκευασίας: ΤΟ-247

Τύπος συσκευών: MOSFET

Δύναμη: Υψηλή δύναμη

Τεχνολογία: Σχεδιαστής

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Εναλλακτικός διακόπτης IGBT

Υψηλής ισχύος IGBT

MOSFET υψηλής δύναμης

Υπερσυνδέσμος MOSFET

MOSFET χαμηλής τάσης

MOSFET υψηλής τάσης

Δίοδοι εμποδίων Schottky

Διόδοι ταχείας ανάκτησης

Χαμηλός VF Schottky

Ημιαγωγός υψηλής ισχύος

MOSFET καρβιδίου πυριτίου

Καρβίδιο του πυριτίου SBD

Βιομηχανικό MOSFET υψηλής ισχύος

500V Ν κανάλι υψηλής ισχύος MOSFET Πολλαπλής χρήσης ημιαγωγός οξειδίου μετάλλου

Υψηλό ρεύμα 600V ισχύος MOSFET για τα κυκλώματα ελέγχου και γέφυρα

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Δυναμικό MOSFET 11A 400V για προσαρμογέα και φορτιστή

Δυναμική λειτουργίας βελτίωσης MOSFET 11A

Δύναμη λειτουργίας ενίσχυσης MOSFET 400V

Διορθωτής N MOSFET καναλιού

Υπερσυνδέσμος MOSFET,

MOSFET καναλιών Ν,

Ωραίο MOS.

Λύση διαχείρισης ισχύος MOSFET υψηλής ισχύος τύπου N για βιομηχανικές εφαρμογές

5A 650V 780mΩ N Super Junction MOSFET TO-252 Επιφανειακά τοποθετημένο

Διαρροή θερμότητας Μεγάλη ισχύς MOSFET Τρανζίστορες ισχύος πυριτίου

7A 650V 525mΩ έως 220F Cool MOS για αδιάλειπτη παροχή ρεύματος

Πολλαπλόχρηστο MOSFET υψηλής ισχύος TO-247 για αδιάλειπτη παροχή ενέργειας

Καρβίδιο του πυριτίου SBD

Δυναμικές διόδους φραγμού Σότκι από καρβίδιο πυριτίου για ηλεκτρικό φούρνο

Υψηλής τάσης διακοπής Καρβιδίου Σιλικόνης SBD για Κέντρο Δεδομένων

Βιομηχανική μηχανή συγκόλλησης πολυδιάθεσης SBD καρβιδίου πυριτίου

Εναλλακτικός διακόπτης IGBT

15A 1200V Inverter IGBT βραχυκύκλωμα αντέχει χρόνο 10μS για τον οδηγό κινητήρα

Αξιόπιστος και ανθεκτικός μετατροπέας

Τροφοδοτική στοίβα IGBT Τρανζίστορα Πολλαπλών Σκοπών Για Εφαρμογή OBC