Υπερσυνδέσμος MOSFET

Καλύτερα προϊόντα

Ηλιακός μετατροπέας Super Junction Mos υψηλής ισχύος ψύξη Mosfet για φόρτιση στούντιο

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET με δίωδο ταχείας ανάκτησης

N Channel Super Junction MOSFET Επιφανειακή τοποθέτηση υψηλής συχνότητας Switching Cool MOS

Κίνα Υπερσυνδέσμος MOSFET

650V Smartphones χαμηλότερη αντίσταση Super Junction Mosfet για PFC

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI

Κατασκευαστής:Λινγκσούν

Εφαρμογή:Ηλεκτρικές πηγές τηλεπικοινωνιών/υπηρετητών
Διακριτές συσκευές σταθερής ισχύος με εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση και μεγάλο περιθώριο EMI

Υψηλό Φως:100% δοκιμή χιονοστιβάδας πολύ χαμηλότερη απόδοση για την αποτελεσματικότητα σε κατάσταση λειτουργία

Εφαρμογή:Ηλεκτρικές πηγές τηλεπικοινωνιών/υπηρετητών

Τύπος:N
Διακριτές συσκευές τηλεπικοινωνιών με υπερσύνδεση MOSFET τύπου N

Υψηλό Φως:100% δοκιμή χιονοστιβάδας πολύ χαμηλότερη απόδοση για την αποτελεσματικότητα σε κατάσταση λειτουργία

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI

Τύπος συσκευών:Ιδιαίτερες συσκευές δύναμης
Τύπος N Super Junction Mosfet για τηλεπικοινωνίες / τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας διακομιστών

Τύπος:N

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI

Εφαρμογή:Ηλεκτρονικές παροχές τηλεπικοινωνιών / διακομιστών
Ηλεκτρονικά προηγμένα MOSFET υπερσύνδεσης σε αδιάκοπες πηγές ρεύματος

Υψηλό Φως:100% δοκιμή χιονοστιβάδας πολύ χαμηλότερη απόδοση για την αποτελεσματικότητα σε κατάσταση λειτουργία

Εφαρμογή:Ηλεκτρικές πηγές τηλεπικοινωνιών/υπηρετητών

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI
Ηλεκτρονικές παροχές τηλεπικοινωνιών / διακομιστών Sj Mosfet Υψηλής απόδοσης

Τύπος:N

Κατασκευαστής:Λινγκσούν

Υψηλό Φως:100% δοκιμή χιονοστιβάδας πολύ χαμηλότερη απόδοση για την αποτελεσματικότητα σε κατάσταση λειτουργία
7A 650V Μεγάλο περιθώριο EMI N Channel MOSFET LC65R600F

Εφαρμογή:Ηλεκτρικές πηγές τηλεπικοινωνιών/υπηρετητών

Κατασκευαστής:Λινγκσούν

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI
20A 650V Super Junction Mos Για τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας τηλεπικοινωνιακών διακομιστών

Υψηλό Φως:100% δοκιμή χιονοστιβάδας πολύ χαμηλότερη απόδοση για την αποτελεσματικότητα σε κατάσταση λειτουργία

Κατασκευαστής:Λινγκσούν

Τύπος συσκευών:Ιδιαίτερες συσκευές δύναμης
Δύναμη Μεγάλο περιθώριο EMI Super Mosfet 100% Τεστ χιονοστιβάδας

Τύπος:N

Περιθώριο της EMI:Μεγάλο περιθώριο της EMI

Κατασκευαστής:Λινγκσούν
4A 650V 880mΩ Τρανζίστορα HV Super Junction Mosfet χαμηλής αντίστασης

Ταυτότητα:4α

Τάση αγωγός-πηγής:650V

Διάταξη RDSON:880mΩ
Si Super Junction MOSFET Μεγάλο ρεύμα ψύξης Mos 47A 600V 68mΩ

Ταυτότητα:47Α

Τάση αγωγός-πηγής:600V

Διάταξη RDSON:68mΩ
20A 650V 150mΩ MOSFET χαμηλής διασύνδεσης Ciss για τροφοδοσίες ρεύματος

Ταυτότητα:20Α

Τάση αγωγός-πηγής:650V

Διάταξη RDSON:150mΩ

Page 4 of 4|< << 1 2 3 4 >> >|

Περιήγηση στις κατηγορίες：

Υπερσυνδέσμος MOSFET

Ηλιακός μετατροπέας Super Junction Mos υψηλής ισχύος ψύξη Mosfet για φόρτιση στούντιο

70A 650V 38mΩ Si Super Junction MOSFET με δίωδο ταχείας ανάκτησης

N Channel Super Junction MOSFET Επιφανειακή τοποθέτηση υψηλής συχνότητας Switching Cool MOS

Κίνα Υπερσυνδέσμος MOSFET

650V Smartphones χαμηλότερη αντίσταση Super Junction Mosfet για PFC

Διακριτές συσκευές σταθερής ισχύος με εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση και μεγάλο περιθώριο EMI

Διακριτές συσκευές τηλεπικοινωνιών με υπερσύνδεση MOSFET τύπου N

Τύπος N Super Junction Mosfet για τηλεπικοινωνίες / τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας διακομιστών

Ηλεκτρονικά προηγμένα MOSFET υπερσύνδεσης σε αδιάκοπες πηγές ρεύματος

Ηλεκτρονικές παροχές τηλεπικοινωνιών / διακομιστών Sj Mosfet Υψηλής απόδοσης

7A 650V Μεγάλο περιθώριο EMI N Channel MOSFET LC65R600F

20A 650V Super Junction Mos Για τροφοδοσίες ηλεκτρικής ενέργειας τηλεπικοινωνιακών διακομιστών

Δύναμη Μεγάλο περιθώριο EMI Super Mosfet 100% Τεστ χιονοστιβάδας

4A 650V 880mΩ Τρανζίστορα HV Super Junction Mosfet χαμηλής αντίστασης

Si Super Junction MOSFET Μεγάλο ρεύμα ψύξης Mos 47A 600V 68mΩ

20A 650V 150mΩ MOSFET χαμηλής διασύνδεσης Ciss για τροφοδοσίες ρεύματος

Καρβίδιο του πυριτίου SBD

Δυναμικές διόδους φραγμού Σότκι από καρβίδιο πυριτίου για ηλεκτρικό φούρνο

Υψηλής τάσης διακοπής Καρβιδίου Σιλικόνης SBD για Κέντρο Δεδομένων

Βιομηχανική μηχανή συγκόλλησης πολυδιάθεσης SBD καρβιδίου πυριτίου

Εναλλακτικός διακόπτης IGBT

15A 1200V Inverter IGBT βραχυκύκλωμα αντέχει χρόνο 10μS για τον οδηγό κινητήρα

Αξιόπιστος και ανθεκτικός μετατροπέας

Τροφοδοτική στοίβα IGBT Τρανζίστορα Πολλαπλών Σκοπών Για Εφαρμογή OBC