SBT40L60PT Χαμηλός VF Schottky

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

SBT40L60PT Χαμηλός VF Schottky

Σότκι

December 07, 2024

Category Connection: Χαμηλός VF Schottky

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Wechat/Whatsapp:008618988720515
Το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών είναι το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών, καθώς και το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών.
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd κατασκευαστής ποιότητας από την Κίνα.
Μπορούμε να παρέχουμε:
Εναλλακτικός μηχανισμός IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-inverter_igbt-4623741.html
Υψηλής ισχύος IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_igbt-4623736.html
Το MOSFET υψηλής ισχύος: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_mosfet-4623730.html
Καλώς ήρθατε να επισκεφθείτε την επίσημη ιστοσελίδα μας: http://www.inverterigbt.com

Tags:

#Δίοδος Schottky χαμηλής συχνότητας #Δίοδος Schottky Vf #Δίοδος Schottky

SBT40L60PT Χαμηλός VF Schottky

40A60V SBT40L60PT έως 247 Διοτίδες Schottky χαμηλού ρεύματος υψηλού ρεύματος για παροχή ενέργειας

40A100V TO-263 Επιφανειακή τοποθέτηση χαμηλής ακτινοβολίας Δίοδοι διορθωτή Schottky SBT40L100DC

40A60V SBT40L60FCT Μονάδες τροφοδοσίας χαμηλού VF Δίοδοι Schottky TO-220F

Χαμηλός χρόνος ανάκαμψης χαμηλός VF Schottky TO-220 TO-247 για καταναλωτικά ηλεκτρονικά

Αξιόπιστη χαμηλής τάσης προώθηση Δίοδος Schottky TO-247 για οδηγό κινητήρα βήματος

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR2020FCT

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1560F

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3040FCT

Έκθεση LX micro ES στο Shenzhen 2014

Ημερήσια εργασία

Έλεγχος ποιότητας - ΧΡΑ

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1220CT

MBR1045CT Δίοδοι Schottky

Έλεγχος ποιότητας - Επιστροφή της συγκόλλησης

Σχετικά με το εργοστάσιο μας Mosfet