SBT30L100FCT χαμηλή VF Schottky

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

SBT30L100FCT χαμηλή VF Schottky

Σότκι

December 11, 2024

Category Connection: Χαμηλός VF Schottky

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών είναι το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών και το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των αντλιών.
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd κατασκευαστής ποιότητας από την Κίνα.
Μπορούμε να παρέχουμε:
Εναλλακτικός μηχανισμός IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-inverter_igbt-4623741.html
Υψηλής ισχύος IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_igbt-4623736.html
Το MOSFET υψηλής ισχύος: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_mosfet-4623730.html
Καλώς ήρθατε να επισκεφθείτε την επίσημη ιστοσελίδα μας: http://www.inverterigbt.com

Tags:

#Δίοδος Schottky χαμηλής συχνότητας #Δίοδος Schottky Vf #Δίοδος Schottky

SBT30L100FCT χαμηλή VF Schottky

30A100V SBT30L100FCT Γρήγορη ταχύτητα αλλαγής χαμηλή ταχύτητα VF Schottky Diodes TO-220F

40A100V TO-263 Επιφανειακή τοποθέτηση χαμηλής ακτινοβολίας Δίοδοι διορθωτή Schottky SBT40L100DC

40A60V SBT40L60FCT Μονάδες τροφοδοσίας χαμηλού VF Δίοδοι Schottky TO-220F

Χαμηλός χρόνος ανάκαμψης χαμηλός VF Schottky TO-220 TO-247 για καταναλωτικά ηλεκτρονικά

Κριτικό στοιχείο Δίοδος Schottky χαμηλής συχνότητας VF TO-252 για ασύρματες επικοινωνίες

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR2020FCT

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1560F

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3040FCT

Έκθεση LX micro ES στο Shenzhen 2014

Ημερήσια εργασία

Έλεγχος ποιότητας - ΧΡΑ

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1220CT

MBR1045CT Δίοδοι Schottky

Έλεγχος ποιότητας - Επιστροφή της συγκόλλησης

Σχετικά με το εργοστάσιο μας Mosfet