Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3060CT

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3060CT

Σότκι

December 12, 2024

Category Connection: Διόδοι ταχείας ανάκτησης

συζήτηση Μας ελάτε σε επαφή με

Υψηλής ποιότητας διόδους ταχείας ανάκτησης από την Κίνα.
Το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των διόδων αντιστροφής είναι το υλικό που χρησιμοποιείται για την κατασκευή των διόδων αντιστροφής.
Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd κατασκευαστής ποιότητας από την Κίνα.
Μπορούμε να παρέχουμε:
Εναλλακτικός μηχανισμός IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-inverter_igbt-4623741.html
Υψηλής ισχύος IGBT: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_igbt-4623736.html
Το MOSFET υψηλής ισχύος: https://www.inverterigbt.com/supplier-high_power_mosfet-4623730.html
Καλώς ήρθατε να επισκεφθείτε την επίσημη ιστοσελίδα μας: http://www.inverterigbt.com

Tags:

#Διοδίος ευθυγραμμιστή ταχείας ανάκτησης #Δίοδος ανάκτησης #Δίοδος υπερηφαιρικής ανάκτησης

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3060CT

30A600V MUR3060CT TO-220AB 25ns Υπερταχείς διορθωτές ανάκτησης για κυκλώματα υψηλής συχνότητας

Διοειδείς ταχείας ανάκτησης για διόρθωση κυκλωμάτων υψηλής συχνότητας

650V γρήγορος έλεγχος ισχύος διόδου ανάκτησης

30A600V Διόδοι ταχείας ανάκτησης Απώλειες Διόδος με υψηλό φωτισμό Συμμορφούμενος με το RoHS FRD MUR3060PT

Δίοδοι υπερανάκτησης με 15-35ns αντίστροφο χρόνο ανάκτησης για κυκλώματα υψηλής συχνότητας MUR2020CT

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR2020FCT

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1560F

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR3040FCT

Ημερήσια εργασία

Έκθεση LX micro ES στο Shenzhen 2014

Έλεγχος ποιότητας - ΧΡΑ

Δίοδοι ταχείας ανάκτησης MUR1220CT

MBR1045CT Δίοδοι Schottky

Έλεγχος ποιότητας - Επιστροφή της συγκόλλησης

Σχετικά με το εργοστάσιο μας Mosfet